Özet:
Bu çalışmada optik haberleşmede uygulama bulması beklenen mikro kovuklu lazer alaşımlarından AlGaAs, GaInNAs ve InGaN'ların elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. AlGaAs alaşımlarında kuantum kuyularının konumunun dikey iletime etkisi, GaInNAs alaşımlarında modülasyon katkılamanın band aralığına etkisi, InGaN alaşımlarında ise In oranının alaşımın özelliklerine etkisi araştırılmıştır. Sonuçlar AlGaAs alaşımlarında kuantum kuyunun alttaşa göre konumunun dikey elektriksel iletimi etkilediğini, modülasyon katkılamanın GaInNAs alaşımlarında istenmeyen tuzak düzeylerinin etkilerini neredeyse yok ettiğini ve In konsantrasyonunun InGaN alaşımlarının band aralığını kırmızıya kaydırırken, iletim bandının alt kenarındaki durum yoğunluğunu da artırdığını göstemiştir.
