Abstract:
Bu çalışma, iyon ekme yöntemi aracılığıyla p-n eklemi oluşturulan ve III-V çok eklemli güneş pilleri için alttaş olarak kullanılan Ge güneş pillerinin hazırlanmasını amaçlamaktadır. Güneş pillerinden maksimum verim elde edebilmek için Ge farklı P konsantrasyonlarında katkılanmıştır. 31P+ konsantrasyonunun, tavlama sıcaklığının ve tavlama süresinin I-V eğrisi üzerine etkisi incelenmiştir. Farklı konsantrasyonlarda ekilmiş Ge güneş pillerinde konsantrasyon arttıkça, güneş pili parametreleri olan Isc ve Voc değerlerinde artmanın olduğu gözlenmiştir. Sıcaklığa bağlı yapılan I-V ölçümlerinde en iyi sonuç 650 oC de 120 s tavlama yapılan örneklerde elde edilmiştir. Ayrıca, güneş pili uygulamaları için farklı alttaşlar üzerine büyütülen poli-kristal Ge ince filmlerin yapısal özellikleri tavlama sıcaklığının fonksiyonu olarak Raman ve XRD ölçümleri ile incelenmiştir. Farklı alttaşlar üzerine büyütülen Ge ince filmlerde sıcaklık arttıkça kristallenmede artmaktadır. Metal-indüklü kristallenmede 300 oC'de 60 dakika yapılan tavlamada kristallenmenin olduğu görülmektedir.
